隨著行動裝置、物聯網應用的興起，
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，對於節能的資料儲存與記憶體技術需求日益增加。目前的記憶體技術以DRAM與NAND快閃記憶體為主流，
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，但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存資料；NAND Flash能保存資料，
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，但讀寫速度不佳。同時兼具運算、儲存能力的下世代記憶體，
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，如磁阻式記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)、3D XPoint技術與高潛力的自旋電子磁性記憶體(STT-MRAM)等，
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，就成為下世代記憶體技術的新寵兒。 MRAM的技術在學理上存取速度將超越DRAM達到接近SRAM，
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，且斷電後資料不流失，
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，早期由Everspin公司開發，
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，被視為下世代記憶體技術的重要的競爭者。2017年是MRAM技術爆發的一年，
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，當年在日本舉辦的大型積體電路技術日本舉辦的大型積體電路技術、系統和應用國際研討會，格羅方德與 Everspin公司共同發布有抗熱消磁eMRAN技術，具能夠讓資料在攝氏150度下保存資料，可長達十數年的22奈米製程的製程技術，預計2017年底、2018年投產。而曾經投入記憶體研發生產，但卻不敵成本高昂而退出記憶體市場的台積電，在2017年台積電技術論壇中，揭露已具備22奈米製程嵌入式磁阻式記憶體(eMRAM)的生產技術，預定2018年試產。RRAM其優點是消耗電力較NAND低，且寫入資訊速度比NAND快閃記憶體快1萬倍，主要投入研究的廠商有美光、Sony、三星。台積電也已宣布具備生產22奈米eRRAM技術。3D XPoint技術的主要廠商為英特爾與美光，採用多層線路構成的三維結構，並採用柵狀電線電阻來表示0和1，原理類似RRAM。為儲存裝置的良好的替代品，具有比NAND快閃記憶體快了近1，000倍，也可用於運算速度要求低的計算應用。STT-MRAM是運用量子力學的電子自旋角動量的技術應用，具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗，並相容現有的CMOS製造技術與製程。目前主要投入廠商有IBM與三星、SK海力士和東芝，其中IBM和三星在IEEE發布研究論文表示，已成功實現10奈秒的傳輸速度和超省電架構。儘管下世代記憶體未來有望取代部分DRAM與NAND快閃記憶體的市場，甚至取代舊有技術。但是筆者認為，隨著人工智慧、物聯網裝置與更多的資料收集與感測需求，下世代的記憶體技術首先將著眼於以新應用的需求為主，如台積電鎖定的嵌入式記憶體，並充分發揮運算與儲存二合一的優勢，進一步微縮大小，達到元件更高的市場滲透率。但是若從廠商動態來看，22奈米的eMRAM技術將於2018年年後逐漸成熟，並開始有大量的市場應用。（作者是國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心研究員），