三星主導調漲DRAM報價策略奏效，
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，集邦最新DRAM現貨報價連四天緩步上揚，
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，主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關，
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，也是近二個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM族群包括南亞科（2408）、華邦、威剛及宇瞻等，
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，可望重掌多頭反攻號令。記憶體通路商表示，
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，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態度積極，
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，除8月調漲DRAM報價，
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，第4季合約價也再漲一成，
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，連同第3季合約價調漲15%，等於下半年漲幅約25%。二大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導DRAM漲價策略奏效，已激勵現貨報價連四天上揚，集邦最新DRAM報價，主導DDR4 4Gb DRAM單日最高價已達每顆2.2美元，雖然均價在1.86美元，但業者預期隨買盤升溫，很快會站穩2美元之上。至於應用於其他工控和網通及消費產品的DDR3 2Gb及4Gb DRAM，漲勢雖未DDR4強勢，但也呈現緩漲態勢。通路商分析，兩大韓系業者漲價，三星希望能穩住獲利，彌補Note 7回收的損失，各品牌手機為因應高解析影響處理和儲存需求，新機搭載DRAM和NAN容量都大幅提升，也是「漲價有理」的關鍵。例如蘋果iPhone 7的DRAM搭載量由2GB推升至3GB，部分非蘋機種更至6GB，都以驚人的幅度成長，筆電廠和資料中心所需的伺服器記憶體需求成長性更為驚人。第4季是歐美及亞洲零售旺季，包括感恩節、耶誕節及雙十一光棍節等，各家廠商競相備貨搶食商機，韓系大廠在蘋果等主要大廠已包下大部分產能，調升售價是希望藉此要通路端和委託製造代工大廠備貨。韓系大廠將產能轉向行動式記憶體和NAND，造成標準型DRAM缺貨，近期標準型DRAM現貨價回升，估計第4季漲勢會以標準型DRAM最明顯，漲幅恐逾一成、甚至可達15%；行動DRAM漲幅估計也會不小。集邦同時看好儲存型快閃記憶體（NAND Flash）第4季漲勢，主因3D NAND晶片製程推進不如預期，而各項終端產品已進入需求旺季。，